1. 极限真空：≤2.0×10-4Pa (环境湿度≤55%)。
2. 刻蚀材料：Si,SiO2,SiN,Poly-Si,GaN,SiC，部分金属等材料。
3. 刻蚀不均匀性：≤±5％（5吋范围内）。
4. 刻蚀速率： 0.1-2微米/分
5. 刻蚀室尺寸：Φ300×280mm
6. 电极尺寸：Φ200mm

用于刻蚀Si,SiO2,Si3N4,Poly-Si,GaN,SiC等材料，设备兼有RIE功能，可以进行去胶，实现部分金属的浅刻蚀。

1真空刻蚀室、室盖升降系统、机架机柜一套（创世威纳）
2真空抽气与恒压控制系统
 抽速600升/秒防氯基腐蚀分子泵一台(中科科仪KYKY)
 抽速8升/秒防氯基气体腐蚀机械泵组一套(日本真空ULVAC)
赠送防腐油一瓶（一次更换用量）
 φ150mm口径超高真空电动插板阀一台(川北科技)
 薄膜规一个（德国INFICON）
 压控软件（创世威纳）
3功率源
 射频电源RF1000W一台（进口，美国seren）
 1000W自动匹配器一台（进口，美国seren）
 射频电源RF600W一台（进口，美国seren）
 600W自动匹配器一台（进口，美国seren）
4气路系统
 防腐质量流量控制器 四台（进口，英国warwick，分别用于控制：Cl、BCl3、SF6/CHF3、O2/Ar。
 气路四条，管路、阀门：（日本KITZ）
 N2气吹扫气路两条，管路、阀门（进口，日本KITZ）
5真空测量
 复合真空计一台（成都正华 或 成都睿宝）
 电阻规管两只，一只为备件（成都正华 或 成都睿宝）
 电离规管两只，一只为备件（成都正华 或 成都睿宝）
6进样取样室、真空锁及真空组件 1套，含：
 机械手传动气缸 1套 （日本SMC，或德国费斯托）
 真空锁驱动气缸 1套 （日本SMC，或德国费斯托）
 增压气缸 1套 （日本SMC，或德国费斯托）
 升降机构升降气缸 1套 （日本SMC，或德国费斯托）
 抽速8升/秒机械泵 1台 （日本真空ULVAC）
 真空锁 1套 （创世威纳）
 进样室 1个 （创世威纳）
7自动控制系统一套
 工控机一台（北京华凌德）
 触摸显示屏一套（北京华凌德）
 可编程通讯控制器一套（创世威纳）
 控制软件一套（北京创世威纳）
8预留end point 接口（按美国Verity光谱仪终点检测系统接口标准设计）