主要规格及技术指标
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本底真空度为10e-7Pa;基片温度为100-600℃;放电气压为1Pa左右;微波源功率为300-1000W;可实现氮气、氢气等的低损伤高密度微波等离子体放电,设备上配有金属有机物源三甲基镓、三甲基铟、三甲基铝、三乙基硼等,配有RHEED原位检测设备。 |
主要功能及特色
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Ⅲ族氮化物的低温生长;蓝宝石、硅片等衬底的低温等离子体干法清洗;薄膜表面微结构信息的RHEED检测。 |
主要附件及配置
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无 |