主要规格及技术指标
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配备有高真空的二次电子探头,低真空的二次电子探头,环境真空下的二次电子探头,以及背散射电子探头。高真空模式下 分辨率达到30 kV下3.0 nm, 30 kV下4.0 nm (背散射电子),3 kV下8.0 nm; 低真空模式下分辨率达到30 kV 下3.0 nm, 30 kV下4.0 nm (背散射电子),3 kV下10.0 nm; 环境真空模式下分辨率达到30 kV下3.0 nm。 |
主要功能及特色
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能直观地观测纳米尺寸物质。低真空/环境真空技术适用于不导电样品和/或含水样品的成像,样品不经导电处理即可直接成像和分析,样品表面无电荷累积现象。 |
主要附件及配置
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真空泵、ups电源 |