全独立多源快速原子层沉积系统
全独立多源快速原子层沉积系统
负责人员
宋金会, 陈路华, 曾相喆, 章嘉豪, 张赫哲, 陈宏亮
存放地址
主校区知方楼（新校区机械学院大楼）1077(1079)
联系电话
15542630930
仪器编号
20192423
规格
ALD-T200Q
生产厂家
武汉市嘉科微纳科技有限公司
型号
ALD-T200Q
制造国家
中国
分类号
0306030502
出厂日期
2023-11-06
购置日期
2017-12-05
入网日期
2018-12-05
主要规格及技术指标

1.样品基底最大直径4英寸。
2. 最大沉积温度不高于300 ℃。
3.设备使用氮气做载气，控制载气流量10-1000 sccm。

主要功能及特色

功能特色：ALD不仅可以在晶圆，平面物体上镀膜，还适用于粉末，颗粒，多孔的基底材料，或是有高深径比的3D物体内沉积高保形薄膜。

主要附件及配置

无
暂无关联门禁
暂无收费信息