主要规格及技术指标
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1灯丝:预对中灯丝 2二次电子分辨率优于:4.0nm@20kV,15nm@1kV 3背散射电子分辨率优于:5.0nm@20kV(低真空) 4加速电压:0.3~20kV连续可调 5放大倍数:6~300000倍(底片倍数) 6探测器:二次电子探测器,高灵敏度五分割半导体背散射探测器:成分像、形貌像和三维像 7低真空范围:6-100Pa,高低真空一键切换,不需更换光阑 8马达台:三轴(X,Y,R)自动马达台,X:0~40mm,Y:0~50mm,Z:5~15mm,R:0~360°,T:-15°~90° 9真空系统:机械泵1台,分子泵1台 10自动功能:自动灯丝饱和度调整,具有高、中、低三个档位,自动电子束对中 11聚光镜光阑完全安装在长内衬管内,用户可自行更换聚光镜光阑 12电子图像位移:>±50μm(WD=10mm) 13计算机操作系统:Windows 10 Pro 64位 14配有图像管理软件 |
主要功能及特色
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用于高分辨率微区形貌分析 |
主要附件及配置
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无 |