1、LED、UED、USD及RBED探测器；
2、二次电子分辨率：0.6 nm（15 kV）；0.7 nm（1 kV）；背散射电子分辨率：1.5 nm（15 kV）；
3、加速电压：0.01-30 kv；
4、放大倍数25-1,000,000倍，误差：3%；
5、牛津Ultim Extreme能谱，元素分析下限：Li；空间分辨率 10 nm；
6、电子束束流：10 pA≤束流≤200 nA，束流强度可连续调节；

1、二次电子形貌像观测；
2、平整样品表面的背散射电子成像分析；
3、配置低真空单元，可对导电性差的块体样品进行低真空下的二次电子及背散射电子观测，真空度范围10 - 300 Pa；
4、材料的微区成分分析，能谱可进行定性定量分析、全谱智能面扫描、全谱智能线扫描；
5、磁性样品观察。

无