主要规格及技术指标
1. 探测器：标配 SE（二次电子）、In-Beam SE（镜筒内二次电子）、可伸缩 BSE（背散射电子）及 In-Beam BSE 等探测器；
2. 电子源：配备高亮度、低噪声的肖特基（Schottky）场发射电子枪；
3. 加速电压：常规范围为 200 V 至 30 kV；
4. 放大倍数： 2倍-1,000,000倍；
5. 工作模式：内置五种光学扫描模式，包括 RESOLUTION（最高分辨率）、DEPTH（大景深）、WIDEFIELD（大视场）等；
6. 束流控制：2 pA – 200 nA，束流强度支持连续无级调节。

1. 二次电子高分辨形貌像观测，结合镜筒内探测器可获取纳米级表面微观细节；
2. 平整样品表面的背散射电子成像分析，直观展示基于原子序数的成分分布；
3. 多种样品托：标准七孔样品托转盘（允许用户一次性装载并同时测试多达 7 个标准样品）、大尺寸扁平样品托、截面样品托、压片式样品托

无