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                             主要规格及技术指标 
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                             半导体激光,波长405纳米,最大瞬时功率1毫瓦,最大功率0.64毫瓦,光束发散度(全角度)0.15-1.25拉德 图像传感器:235万像素CMOS 1/1.2英寸,24万彩色输出  | 
                    
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                             主要功能及特色 
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                             微观三维形貌图像的获取及测量  | 
                    
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                             主要附件及配置 
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                             无  |