预备真空腔，背底真空度优于9E-9 torr，加热温度最高850度

1、设备功能：该超高真空双室共焦多靶磁控溅射系统是在优于9×10-9 Torr的超高真空环境下利用直流及射频电源产生氩气等离子体并溅射靶材实现具有高质量、高均匀度的纳米尺度的单层及多层薄膜沉积。
2、技术指标：具有传样室和薄膜沉积室双真空腔结构，沉积腔背底真空度优于9×10-9Torr；沉积腔单腔具有11个靶源，其中9个直流源，2个射频源；直流源功率：0-750W；射频源功率：0-300W；磁控靶构型：共聚焦与正溅射构型相结合，可实现多材料共溅射及反应溅射；基片尺寸：4英寸；基片：旋转并可加热至850度；工艺气体：Ar气，O2气 和N2气；薄膜均匀度：4英寸范围内均匀性优于±1.5%；可在1英寸基片区域内生长楔形薄膜。

无