主要规格及技术指标
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样品尺寸:最大4英寸基片最大深宽比:≥30:1最大刻蚀速率:>8um/min包括工艺:Bosch、硅纳米等刻蚀材料:硅刻蚀精度:最小线宽30nm,侧壁倾斜角度85°-92°可调均匀性:>95% |
主要功能及特色
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该设备用于博世MEMS工艺和电子元件工艺中的高速硅深孔加工 |
主要附件及配置
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无 |