支持正面和背面的双面光刻曝光工艺；支持硬接触，软接触，真空接触和接近式曝光模式；设备适用于最大8/6/4/2英寸的单面/双面光刻；托盘尺寸满足2"、3"、4"、6"和8"等晶圆片，以及不规则小片的光刻作业；真空硬接触式光刻分辨率0.8μm（1μm胶厚情况下）；光强均匀性：小于±1%@2英寸；小于±2%@4英寸；小于±3%@8英寸

紫外曝光机用于芯片上光刻胶图形的制备，通过曝光工艺将已设计好的各种细微图形复制到芯片的光刻胶上，再经过其它工艺如刻蚀、扩散等，最终在芯片表面形成具有特定性能的结构，经过这样多次反复的曝光及其它工艺，最终形成具有一定功能的元器件

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