三腔室结构设计；
极限真空度：6.6x10⁸Pa.
腔体双层水冷，上开盖，下底为封头结构。
可容纳样品尺寸3英寸，样品最高加热温度700℃,可调可控。
转速5—50转/分连续可调，样品承托架可手动上、下升降，行程30mm。
分子束源炉最高加热温度1300℃,30cc坩埚，控温精度±0.5℃。
观察窗组件通光尺寸100mm。
高真空金属真空规、计数字显示，量程：10⁵Pa～10⁸Pa。
涡旋干泵、分子泵、溅射离子泵加吸附泵真空系统组合，最大抽速700L/S。
差分式高能电子衍射仪(RHEED)最高能量20KV,最大束流100μA

该系统主要利用分子束源炉及电子束的方式镀制薄膜，主要由蒸发沉积室、电子束与蒸发室(兼进样室)、 束源炉、样品磁力传递机构、样品加热机构、泵抽系统、真空测量系统、气路系统、电控系统等组成。靶源数
6个，样品沉积状态可容纳3英寸单晶硅或氧化铝等衬底，采用步进电机驱动样品台以5~50转/分速率均匀旋
转，确保在3英寸范围内均匀沉积单晶层材料，同时可上下调整，保证沉积速率的稳定性。分子束蒸发沉积室
性能指标包括：
三腔室结构设计；
极限真空度：6.6x10⁸Pa.
腔体双层水冷，上开盖，下底为封头结构。
可容纳样品尺寸3英寸，样品最高加热温度700℃,可调可控。
转速5—50转/分连续可调，样品承托架可手动上、下升降，行程30mm。
分子束源炉最高加热温度1300℃,30cc坩埚，控温精度±0.5℃。
观察窗组件通光尺寸100mm。
高真空金属真空规、计数字显示，量程：10⁵Pa～10⁸Pa。
涡旋干泵、分子泵、溅射离子泵加吸附泵真空系统组合，最大抽速700L/S。
差分式高能电子衍射仪(RHEED)最高能量20KV,最大束流100μA。
采用手动磁力传递机构把样品可以送到MBE真空室内，或从MBE真空室把样品取出。实现IV-VI族铅盐材料、金属硒化物等半导体单晶薄膜材料的制备，样品尺寸：直径≤76.1 mm

分子束源炉3个，真空系统：涡旋干泵、分子泵、溅射离子泵加吸附泵组合，三腔室，控制柜等