1.配置3个靶位，尺寸2inc.
2.真空腔室最小压力：≤5X10-7mbar；
3.衬底加热温度500℃
4.射频电源：带有自动匹配电路，用于沉积绝缘体薄膜或者金属薄膜；
5.直流电源：通过溅射转换模块可分别控制任一磁控溅射靶，用于快速沉积金属薄膜。
6. 可实现两个磁控溅射靶共同沉积，同时也可实现在不破坏真空的条件下进行顺序溅射；
7. 配置薄膜厚度检测模块，可设定镀膜厚度及实时检测镀膜厚度；
8. 配置3路气路，Ar，N2，O2，每一路都有MFC进行自动控制；

溅射沉积制备高质量的单层膜或多层膜；
可以制备金属、半导体以及绝缘体薄膜；
通过调节溅射气氛，可制备出各种非化学计量比的化合物薄膜。

无