沉积均匀性和一致性‌：ALD技术具有出色的控制能力，能够确保薄膜的成分和厚度高度可控，保形性好、纯度高且均匀‌
‌稳定性‌：设备具有高稳定性与高可靠度，uptime > 90%‌
材料类型‌：可沉积的材料包括金属氧化物（如Al2O3, ZnO, TiO2等）、金属（如Pt, Ir等）‌

广泛应用‌：适用于半导体领域（如晶体管栅极电介质层）、光电元件的涂层、集成电路中的互连种子层、DRAM和MRAM中的电介质层等‌
。此外，还广泛应用于三五族（GaN / SiC）功率及射频器件、VCSELs器件等化合物产业，以及MEMS和Si基半导体产业‌
‌高深宽比的图形电镀能力‌：设备具有高深宽比的图形电镀能力，成功案例用于深宽比>1000:1的图形ALD工艺‌
‌step coverage‌：ALD工艺的step coverage较佳，能够实现对高长宽比结构的全覆盖包覆‌

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