处理气体：H₂、N₂、O₂、Ar等（纯度≥99.9999%）；净化技术：低温吸附（-196℃），催化脱氧（残氧≤0.1 ppm），膜分离（选择性≥99.9%）；流量范围：0.1~1000 L/min（可扩展）；露点控制：≤-80℃（水分含量＜0.1 ppm）；颗粒过滤：≤0.01 μm（Class 0级洁净度）

杂质深度脱除：去除O₂、H₂O、CO₂至ppb级（如电子级N₂中O₂＜1 ppb）。同位素分离：高纯氖（Ne）、氪（Kr）等特种气体提纯。工艺气回收：半导体制造尾气（如CF₄）的纯化循环利用。在线监测：实时分析H₂O、O₂等杂质浓度（激光光谱技术）

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