‌迁移率测量范围‌
覆盖范围：1×10⁻⁷ 至 9×10⁻¹ cm²V⁻¹s⁻¹²^。
‌测量环境适应性‌
温度范围：173K-473K²^；支持低温测量选件扩展（需搭配液氮/氦制冷系统）⁴^。
电压范围：1-500V²^。
‌光学集成性能‌
激光光源：标配337.1nm波长激光²^，支持光纤共聚焦耦合以提高空间分辨率⁷^。
光谱检测：200-1100nm波段光谱CCD，峰值量子效率>90%⁷^。
‌快速测量技术‌
采用专利快速霍尔测量技术，低迁移率材料测量速度可达传统方法的100倍⁴^。
‌硬件配置‌
高精度电动位移台：75mm×50mm行程，1μm定位精度⁷^。
全封闭电磁屏蔽设计，确保测量稳定性⁴^。

‌多参数联合分析‌
支持载流子类型、浓度及迁移率的同步测量⁴^，可结合栅极偏置选项进行电场调控测试⁴^。
‌材料适配性‌
适用于有机薄膜、二维材料（如石墨烯）及低迁移率半导体材料的无损表征²^⁴^⁵^。
‌高分辨率表征‌
集成光谱响应测试模块（如量子效率量测），搭配影像校正光谱仪（杂散光抑制比达1×10⁻⁵）实现高精度光谱分析⁷^。
‌自动化与扩展性‌
提供图形化用户界面与触摸屏操作，支持与原子力显微镜、探针台等设备联用⁷^；可升级振镜选项优化光路转向控制⁷^。

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