主要规格及技术指标
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分辨率:≤0.6um,正面套刻精度:≤ ±0.5um,反面套刻精度:≤ ±1.0um,最大晶圆尺寸:6英寸。 |
主要功能及特色
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本设备可对I线(365nm波长)光刻胶进行曝光,将掩膜版图案复制到光刻胶膜上。提供正、反双面对准功能,实现多层结构的高精度制造。该设备处理的样片,可为后续的刻蚀、薄膜沉积、划痕制备等工艺提供掩蔽层和加工参考线。 |
主要附件及配置
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无 |