分辨率：高真空模式：0.4~3 nm（取决于电子枪类型）。低真空模式：1~10 nm（适用于非导电样品）。放大倍数：5x~1,000,000x（连续可调）。加速电压：0.1~30 kV（可调，适配不同样品）。探测器：二次电子（SE）成像：表面形貌，背散射电子（BSE）成像：成分对比，能谱仪（EDS）：元素分析（可选配）

高分辨形貌观察：纳米级表面结构成像（如材料断口、纤维、颗粒等）。成分与结构分析：结合EDS进行元素分布Mapping（微区成分检测）。三维重构：通过倾斜样品或电子断层扫描（ET-SEM）生成3D图像。动态过程研究：原位观察加热、拉伸等过程中的样品变化（需特殊样品台）。

无