1、二次电子分辨率(SE):15kV:≤0.6nm,1kV:≤0.9nm;
2、背散射分辨率(BSE):≤1.6nm;
3、放大倍数范围：5-2,000,000倍，粗、细调模式连续可调；
4、最大束流：≥400nA,电子束流连续可调；
5、样品台移动范围：X≥80mm,Y≥60mm,Z≥45mm,
6、曝光最小线宽：≤20nm;
7、束斑选择：束斑连续可调，最小束斑优于1.5nm
8、单次最大曝光面积：4mm*4mm;

1、样品高分辨观察；
2、样品微区成分分析；
3、微纳米尺度图形加工；

电子束曝光系统主机，等离子清洗器、电子束闸，图形发生器等