ALD原子层沉积系统温度范围50-400℃（±1℃），沉积速率0.1-2Å/cycle（均匀性±1%）；配备4路前驱体通道（控温50-200℃±0.5℃），真空度≤0.1Pa；基板尺寸≤Φ200mm（加热均匀性±2℃），集成QCM原位膜厚监控与PLC程序控制（配方记忆≥100组）；支持氧化物/氮化物/金属薄膜沉积，适配半导体栅极/新能源电极/光学镀膜纳米级超保形薄膜生长。

ALD原子层沉积系统通过交替脉冲前驱体实现原子级精度薄膜保形生长（50-400℃），精准调控氧化物/氮化物/金属膜层成分与厚度（均匀性±1%）

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