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                             主要规格及技术指标 
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                             1、冷场发射电子枪(含有MildFlash技术);2、SE分辨率:0.6 nm (@15kV/WD4mm),0.7nm (@1kV/WD1.5mm);3、放大倍数:X6~X2500000;6,加速电压0.5~30kV(10V/step);4、配备Oxford UltimMax100 EDS探头和Symmetry S3 EBSD探头。  | 
                    
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                             主要功能及特色 
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                             1、二次电子形貌像观测;2、材料的微区成分分析,能谱可进行定性定量分析;3、材料的微观结构和晶体取向分析  | 
                    
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                             主要附件及配置 
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                             无  |