1. TEM 信息分辨率：≤60 pm @300 kV，≤80 pm @200 kV,≤100 pm @60 kV 2. STEM分辨率：≤50 pm @300 kV，≤70 pm @200 kV，≤96 pm @60 kV,≤136 pm @30 kV 3. 加速电压：提供300 kV、200 kV、60 kV、30 kV，四个加速电压合轴，可自由切换，仅通过软件完成。 4. 放大倍数：TEM:40940000倍；STEM：125165000000倍 5. 探头：HAADF 探头和轴向与径向 16分割 Panther STEM探测器，可采集明场(BF)、环形明场(ABF)、环形暗场(ADF)、低角环形暗场(LAADF)、高角环形暗场(HAADF)以及 DPC，iDPC 信号。 6.配置 TEM 一体化底插 CMOS 相机 Ceta S，尺寸:4,096x4,096 像素;像素大小:≥14 umX14 um;读取速度:≥40 fps@4kX4k;≥300fps @512x512;动态范围:16bit; 7.三维重构：自动化数据收集系统和电子断层扫描技术，可自动采集 TEM、STEM、EDX 三维图像。 8.带有能量过滤的能量损失谱系统：最新一代的能量过滤系统，包括能量过滤透射电镜成像(Energy Filtered TEM,EFTEM)和电子能量损失谱(EELS)分析。

该电镜配有物镜球差校正器和聚光镜球差矫正器,TEM 信息分辨率:≤60 pm @300 kV,STEM分辨率:≤50 pm @300 kV;电镜配有超亮电子枪和超级单色器,能量分辨率可以达到 0.025ev,结合高分辨 EELS，可以满足轻元素测量和化学价态表征;配有 HAADF+16 分割 STEM 探测器;配有固体角大于 4.0sr的 EDS能谱，能够实现极低束流下的原子级元素面分析观察。

1. 三维重构样品杆2. NanoEx-i/v MEMS Holder加热杆 3.Precession Diffraction 旋进电子衍射 4.4D STEM 基于 Ceta