离子源种类:具备 Xe、0、N、Ar 等离子体源；交叉点分辨率:<20nm@30 kV(多边统计法)，<10nm@30kV；具备金属沉积系统，可在离子束、电子束诱导下进行C，W等金属的沉积；分辨率:在最佳工作距离:≤0.7nm @1 kV;2.3 在交叉点时:≤0.6nm @15 kV;<1.2 nm @ lkV；具有与主机同品牌的与主机软件集成一体化原位样品自动提出纳米机械手；原位冷冻台:控温范围+35℃~-150℃；配备快速进样系统；具有EDS 和EBSD功能。

主要功能有 TEM 及 APT 高质量定点制样、高精度微纳加工等，实现无 Ga 注入样品制备，该设备具有的核心技术包括:提供多气体离子源，以实现无 Ga 注入的 TEM 制样，丰富测试样品种类，提升 TEM 及 APT样品制备质量，加快制样速度，提高设备使用效率。

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