主要规格及技术指标
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1. 冷场发射电子枪,提供 60KV 和 200KV 两个加速电压下的光路和球差校正预合轴设置;2.TEM 点分辨率:≤0.24nm;信息分辨率:<0.13nm;晶格分辨率:≤0.10nm; STEM 暗场分辨率:≤0.078nm@200kV;3.电子衍射包括 SAED、NBD 和 CBED 三种模式;4.配备一根可与气体环境联用的 MEMS 式原位加热样品杆,最高加热温度 1100 摄氏度;5.二次电子模式探头,可用于对样品表面及近表面(小于 10nm 深度)的结构进行原子分辨率 SEM成像,分辨率≤0.2nm,并可与其他 STEM 探测器以及IEDS/EELS 探测器同时联合使用;6.配备最新一代的电子能量损失谱仪系统,通过对不同能量损失的电子进行谱学分析,对材料的元素分布、化学价态、电子结构等信息进行表征。 |
主要功能及特色
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"1.一台装有聚光镜球差校正器的具有原子级别分辨率的透射电子显微镜,配备有 TEM,BF,DF,HADDF等多个探测器和功能 |
主要附件及配置
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无 |