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主要规格及技术指标
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二次电子分辨率:≤3nm(加速电压30 kV);≤20nm(10kV@10nA);≤50nm(10kV@100nA);≤150nm(10kV@1000nA)。 |
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主要功能及特色
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可在真空状态下, 观察物体微观形貌、开展元素定性分析。 |
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主要附件及配置
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无 |