极限真空度：≤9×10^-3 Pa；样片数量及尺寸：Φ6英寸，1片；薄膜沉积均匀性：≤±3%-±6%；电源配置：射频13.56 MHz，600 W，自动匹配；工艺气路：6路，质量流量控制器控制，响应时间1 s，精度1%；沉积距离调节范围：20 mm-60 mm，调节精度1 mm。

用于薄膜材料的等离子体增强化学气相沉积，可开展薄膜沉积、表面改性及相关工艺研究。设备采用射频等离子体激发方式，具备自动匹配功能，能够在较低温度条件下实现薄膜沉积，适用于功能薄膜、介质薄膜、保护薄膜及相关材料制备。设备集成真空系统、样品架系统、自动控制系统、冷却系统及气源辅助系统，具有工艺稳定、操作连续、适用范围广等特点。

化学气相沉积设备主机 ；自动控制系统 （含 PLC 及模块、工控机、显示器）；循环冷却水机 ；空气压缩机；真空泵；真空刻蚀腔体 ；样品架系统 。