离子束辅助沉积设备
离子束辅助沉积设备
负责人员
陈鹏忠
存放地址
主校区新校区高压加氢反应室2#()
联系电话
18624375672
仪器编号
2025A175
规格
IBSD-2008C
生产厂家
创世威纳
型号
IBSD-2008C
制造国家
中国
分类号
0306030701
出厂日期
2025-12-13
购置日期
2025-10-22
入网日期
2025-12-13
主要规格及技术指标

极限真空度:≤9×10^-2 Pa;样片数量及尺寸:Φ4英寸,1片;薄膜不均匀性:≤±5%,Φ4英寸范围;

主要功能及特色

用于薄膜材料的离子束辅助沉积与镀膜研究,可开展功能薄膜、保护薄膜及相关材料表面沉积与改性,具有成膜质量高、工艺可控性较好、适用于多种薄膜制备工艺等特点。

主要附件及配置

样片旋转机构、靶材转换机构、聚焦束溅射主源系统、准直束溅射辅助源、分子泵、真空泵、冷却水机、静音空气压缩机

暂无关联门禁
暂无收费信息