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主要规格及技术指标
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最大基片尺寸 200 mm、最高基片温度 RT–350℃、沉积均匀性 <1%、循环时间 <2 s/cycle、前驱体通道 2路标准最多6路。 |
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主要功能及特色
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用于制备高质量薄膜,具有均匀性好、台阶覆盖率高、厚度可控等优点,适用于半导体、光学、储能等领域 |
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主要附件及配置
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多个前驱体源、等离子体源、原位监测系统、样品传输系统 |