主要规格及技术指标
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二次电子分辨率优于:4.0nm@20kV,15nm@1kV; 背散射电子分辨率优于:5.0nm@20kV(低真空); 加速电压:0.3-20kV连续可调; 放大倍数:6-300000倍(底片倍数); 电子图像位移:> ±50μm(WD=10mm) |
主要功能及特色
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观测固体样品(如粉末、高分子材料、金属材料、无机非金属材料等)在亚微米、纳米尺度的形状、尺度、表面形貌等 |
主要附件及配置
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无 |