最大样品尺寸：直径2 mm高度6 mm；兼容小尺寸样品； 基片加热温度：最高6℃，RT-6℃可控，控制精度±1℃2． 等离子体源：自动匹配远程 ICP 等离子体源系统；输出功率到5W可调；13.55M Hz RF发生器；自动匹配器；

该技术可以在纳米级尺度上精确控制物质成分和形貌。该设备系统主要由前驱体系统、真空系统、脉冲系管路统、数据处理系统等组成。广泛应用于光电化学电池和太阳能电池制备改性、OLED沉积和封装、催化材料、超电容和电池材料、生色结构、以及各类薄膜等新型精细化工新材料的生长制备。

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