主要规格及技术指标
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适于光刻6英寸的晶片;光刻最高分辨率0.7微米;双面光刻;正面对准精度±0.5微米,反面对准精度±1微米。 |
主要功能及特色
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对涂有光刻胶的基片进行紫外线曝光,将掩模板图形复制到基片上。 |
主要附件及配置
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无 |